Diodos – Caracteres básicos

Diodos – Caracteres básicos.

Jueves 09 de noviembre, 2017, 04:43 am.

Fuente:

1. Electrónica Hambley
   1. Características del diodo pp 137-145 (148)

Características del diodo.

El diodo es un dispositivo electrónico de gran importancia, que posee dos terminales: el ánodo y el cátodo. El símbolo del diodo se muestra en la Figura 3.1(a), mientras que en la Figura 3.1(b) se muestra su característica tensión-corriente.

La tensión vD en el diodo se toma como positiva de ánodo a cátodo. De igual manera, la corriente iD en el diodo se referencia como positiva cuando circula de ánodo a cátodo.

Puede observarse en la curva característica que, si la tensión vD es positiva en el diodo, pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeñas tensiones. Esta condición se denomina polarización directa. Así, la corriente fluye fácilmente a través del diodo en la dirección que indica la flecha o el símbolo del diodo.

Por otra parte, para valores moderadamente negativos de vD, la corriente iD es muy pequeña. A esto se le llama región de polarización inversa, como puede verse en la curva característica del diodo. Si se aplica una tensión de polarización inversa suficientemente grande al diodo, su modo de operación entra en la región de ruptura inversa o zona de avalancha, permitiendo el flujo de una elevada corriente.

En la Figura 3.2 se muestra la curva característica de un diodo típico de silicio de pequeña señal trabajando a una temperatura de 300o K. Observe que las escalas para la tensión y la corriente en la región de polarización directa son diferentes a las utilizadas en la región de polarización inversa. Esto ayuda a presentar con claridad los detalles de la curva característica ya que los valores de corriente son mucho más pequeños, y los de tensión mucho más grandes, en la región de polarización inversa que en la región de polarización directa.

Los diodos de silicio de pequeña señal se pueden encontrar comúnmente en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Uno de esos diodos discretos es el 1N4148, distribuido por varios fabricantes. Los diodos en los circuitos integrados tienen características similares a las de los diodos discretos de pequeña señal.

En la región de polarización directa, los diodos de silicio de pequeña señal conducen muy poca corriente (mucho menos de 1 mA), hasta que se aplica una tensión directa de 0,6 a 0,7 V (suponiendo que el diodo se encuentra a una temperatura de aproximadamente 300o K). Entonces, la corriente aumenta muy rápidamente a medida que se sigue incrementando la tensión. Decimos que la curva característica de polarización directa presenta un codo sobre los 0,6 V. A medida que aumenta la temperatura, la tensión de codo disminuye a razón de aproximadamente 2 mV/K.

En la región de polarización inversa, para diodos de silicio de pequeña señal a temperatura ambiente, la corriente típica es de, aproximadamente, 1 nA. Cuando se alcanza la ruptura inversa, la corriente aumenta de valor rápidamente. La tensión para la que ocurre esto se llama tensión de ruptura. Por ejemplo, la tensión de ruptura de la curva característica del diodo mostrada en la Figura 3.2 es, aproximadamente, de -100 V.

Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos zéner o diodos de avalancha. Los diodos zéner se usan en aplicaciones para las que se necesita una tensión constante en la región de ruptura. Por tanto, los fabricantes intentan optimizar los diodos zéner para obtener una curva característica prácticamente vertical en la región de ruptura. El símbolo modificado del diodo que se muestra en la Figura 3.3 es el que se usa para los diodos zéner.

 

Análisis de la línea de carga.

La curva característica tensión-corriente de los diodos no es lineal. A causa de esta no linealidad, muchas de las técnicas aprendidas en los cursos básicos de teoría de circuitos para trabajar con circuitos lineales no se pueden aplicar a circuitos que empleen diodos. Los métodos gráficos constituyen un enfoque para analizar este tipo de circuitos. Por ejemplo, consideremos el circuito de la Figura 3.4.

Aplicando la ley de tensiones de Kirchhoff, podemos escribir:

Supongamos que los valores de VSS y de R se conocen, y que deseamos hallar iD y vD. Así, la Ecuación (3.1) tiene dos incógnitas, por lo que se necesita otra relación entre iD y vD para hallar una solución. La relación necesaria se ve de forma gráfica en la Figura 3.5, en la que se muestra la curva característica tensión-corriente del diodo.

Podemos obtener la solución trazando la Ecuación (3.1) en los mismos ejes que la curva característica del diodo. El punto de trabajo es la intersección de la línea de carga y la curva característica del diodo. El punto de trabajo representa la solución simultánea de la Ecuación (3.1) y de la característica del diodo.

Ejemplos 3.1 y 3.2

Modelo de diodo ideal.

Aunque el análisis de la línea de carga de los circuitos con diodos nos proporciona resultados precisos y reveladores, necesitamos modelos más simples para analizar con rapidez circuitos que contengan varios diodos. Un modelo muy útil para ello es el modelo del diodo ideal, un conductor perfecto con una caída de tensión cero en conducción directa. En conducción inversa, el diodo ideal es un circuito abierto. La curva característica tensión – corriente del diodo ideal se muestra en la Figura 3.8.

Al analizar un circuito con diodos ideales, puede que inicialmente no sepamos qué diodos están en conducción y cuáles al corte. Por tanto, nos vemos forzados a aventurar condiciones. Luego, analizamos el circuito para encontrar las corrientes en los diodos que hemos supuesto que están en conducción, y las tensiones en los que hemos supuesto que están al corte. Si iD es positiva en los diodos supuestamente en conducción y si vD es negativa en los supuestamente al corte, nuestras presunciones son correctas, y ya hemos resuelto el circuito (estamos suponiendo que iD se referencia como positiva en conducción directa y vD es positiva en el ánodo). Si no es así, debemos hacer otros supuestos respecto a los diodos y comenzar de nuevo. Después de algo de práctica, nuestra primera presunción será casi siempre correcta, al menos en circuitos simples.

Ejemplos 3.3 y 3.4

Literature Review by: Larry Francis Obando – Technical Specialist

Escuela de Ingeniería Eléctrica de la Universidad Central de Venezuela, Caracas.

Escuela de Ingeniería Electrónica de la Universidad Simón Bolívar, Valle de Sartenejas.

Escuela de Turismo de la Universidad Simón Bolívar, Núcleo Litoral.

Contact: Ecuador (Quito, Guayaquil, Cuenca)

WhatsApp: 00593984950376

email: dademuchconnection@gmail.com